RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2353
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link