RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston 9965589-006.E00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
10.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2140
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link