Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Kingston 9965589-006.E00G 8GB

-->

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 32

Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 10.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25% выше полоса пропускания

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 32
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 10.8
Скорость записи, Гб/сек

11.8 7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 17000

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2756 2140

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Team Group Inc. 16GB

Team Group Inc. 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Corsair MK16GX44A2666C16 4GB

Corsair MK16GX44A2666C16 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

модули RAM