Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 39

Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.8 9.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 25
Скорость чтения, Гб/сек

14.7 16.8
Скорость записи, Гб/сек

9.2 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2322 2989

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM