RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
59
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3077
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link