RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
59
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3077
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link