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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
59
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
14.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3077
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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