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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
49
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2930
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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