RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
89
Autour de 45% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
89
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
1571
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link