RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
89
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
89
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1571
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 99U5471-028.A00LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link