RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
49
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3331
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link