RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
49
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3331
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link