RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
49
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2286
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link