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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
47
Autour de -135% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
20
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2182
3619
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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