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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
比较
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
总分
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
47
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
20
读取速度,GB/s
10.2
20.0
写入速度,GB/s
8.1
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
3619
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
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