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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.7
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
10.7
10.3
写入速度,GB/s
6.8
9.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
1651
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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