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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
67
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
67
读取速度,GB/s
14.9
14.4
写入速度,GB/s
9.6
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1693
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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