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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.7
15.8
写入速度,GB/s
9.3
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2290
2991
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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