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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
60
左右 53% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
60
读取速度,GB/s
12.7
17.3
写入速度,GB/s
7.5
8.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2129
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
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