RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
47
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3592
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link