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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
58
65
Autour de -12% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
58
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
1968
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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