RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
65
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
58
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1968
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link