RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
65
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
2,784.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
58
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
1968
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link