RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 58
    Около 53% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 9.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 16.7
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 58
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.7 left arrow 17.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 9.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2756 left arrow 1968

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
модули RAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
модули RAM
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
модули RAM
Corsair CGM2X2GS800 2GB
Corsair CGM2X2GS800 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
модули RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
модули RAM
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
модули RAM