RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
58
Около -164% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.6
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
21.0
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
4240
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link