RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
58
Autour de -164% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
4240
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link