RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
55
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
55
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2457
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link