RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
55
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
55
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2457
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link