RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3191
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link