RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3191
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link