RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3606
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link