RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3606
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link