RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
104
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2852
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link