RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
104
Около -167% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2852
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link