RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
比較する
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.5
テスト平均値
考慮すべき理由
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
104
周辺 -167% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
2,404.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
39
読み出し速度、GB/s
3,192.0
17.5
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
9.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
タイミング / クロック速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
786
2852
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link