RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3224
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link