RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3515
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link