RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
47
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2440
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link