RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
47
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2336
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link