RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3831
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link