RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
4046
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link