RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
47
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
18.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
4046
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link