RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
47
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3935
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link