RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
47
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2564
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link