RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
47
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2564
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link