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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3127
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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