RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3127
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link