RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
33
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
23
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2960
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link