RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
33
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3341
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link