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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    8.0 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1911 left arrow 3341

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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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